Порошок одностенных углеродных нанотрубок TF1010
Порошок одностенных углеродных нанотрубок TF1010

Порошок одностенных углеродных нанотрубок TF1010

Shandong Tanfeng TF1010 electronic-grade single-walled carbon nanotubes, with tube diameter 1.5–1.7 nm, length >100 мкм, чистота одинарной стенки Не менее 98,5 %, доступны три сорта металлической золы со сверхнизким содержанием золы, подходящие для углеродных транзисторов, военной и аэрокосмической техники, а также кремниево-углеродных анодов высокой чистоты. Поддерживает образцы высокой чистоты и поставку пилотных партий с полным набором сертификатов испытаний.
Отправить запрос

Введение продукта

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, а дефекты аморфного углерода в стенках труб чрезвычайно низкие. Основной дифференцированный показатель: эффективная чистота одностенных углеродных трубок превышает или равна 98,5%, что значительно выше, чем 80% чистота TF1000. Металлическая зола контролируется по градиенту с точностью до сотен частей на миллион, остаточные примеси катализатора значительно уменьшаются, что позволяет избежать утечек полупроводниковых устройств, реакций на стороне батареи и проблем с дрейфом сигнала датчиков.

Бесшовная трубчатая структура однослойного графена сочетает в себе баллистическую электронную проводимость, сверхвысокую эластичность и сверхбольшую удельную поверхность (500–1000 м²/г). Количество перколяционной добавки может составлять всего 0,03% для формирования полнодоменной проводящей сети, подходящей для тонкопленочных транзисторов с усовершенствованным процессом 7 нм и ниже, гибких логических схем, кремниево-углеродных анодов высокой чистоты, легких экранов для военной и аэрокосмической промышленности, сверхвысокочувствительного биозондирования следов и других высокоточных строгих сценариев.

Завод оснащен полным набором специального испытательного оборудования для материалов высокой чистоты, включая ПЭМ высокого разрешения, рамановскую спектроскопию, термогравиметрию ТГА и ИСП-ОЭС. Каждая партия выдается с полным набором специальных отчетов об испытаниях на содержание одностенных трубок, металлические примеси, диаметр и длину трубок. Научно-исследовательским институтам, полупроводниковым предприятиям и ведущим производителям твердотельных аккумуляторов предоставляются только граммовые образцы высокой чистоты и килограммовые опытные партии. Модифицированные порошки высокой чистоты с амино- и карбоксильными группами можно адаптировать к дисперсии вода/органический растворитель. Полный набор RoHS, REACH, специальных отчетов о примесях высокой чистоты ICP и паспортов безопасности MSDS соответствует строгим стандартам аудита допуска материалов для импорта и экспорта военной продукции и полупроводников.

Упаковка: вакуумные пакеты из алюминиевой фольги, композитные полиэтиленовые пакеты, тонные пакеты, по индивидуальному заказу.

Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. packaging Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. packaging
Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. packaging Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. packaging

Технические параметры продукта

Тестируемый предмет Спецификация тестирования Метод тестирования
Общее тестирование    
Появление Черный Визуальный осмотр
Диаметр трубки 1,5-1,7 нм СЭМ, ПЭМ обнаружение
Длина трубки >100 μm -
Чистота одностенных углеродных нанотрубок Больше или равно 98,5% ТГА
Содержание пепла Меньше или равно 2000/<500 / <100 ppm Метод Эша
Удельная площадь поверхности 500-1000 m²/g Статический анализатор адсорбции азота
Соотношение Г/Д >50 Рамановский

Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd.

Введение компании

В 2022 году компания инвестировала 50 миллионов юаней в создание «Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd». в Хэцзэ, провинция Шаньдун, с площадью здания 4000 квадратных метров. Сейчас это национальное высокотехнологичное предприятие, имеющее более десяти независимых патентов.

В 2027 году планируется построить вторую очередь производственного и научно-исследовательского центра. Компания прошла международную сертификацию системы качества ISO9001 и сформировала передовой центр производства и технического обслуживания наноматериалов, охватывающий весь процесс эксплуатации, НИОКР, опытно-промышленного производства и производства. В настоящее время компания располагает комплексными производственными линиями для производства порошка углеродных нанотрубок, суспензии углеродных нанотрубок, маточной смеси углеродных нанотрубок, волокна углеродных нанотрубок и пленки углеродных нанотрубок.

У нас есть профессиональные испытания и сертификация. Для действительно наноразмерных углеродных нанотрубок компания Tanfeng Technology предоставляет данные о характеристиках для различных моделей, таких как изображения SEM, изображения AFM, изображения HRTEM, рамановская спектроскопия и порошковые рентгенограммы.

Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. factory Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. Production Workshop
Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. Patent Certificate Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. Exhibition

Основные преимущества продукта

Чистота одностенных трубок Не менее 98,5 %, чрезвычайно низкий уровень примесей и различное содержание трубок, адаптация к требованиям к коэффициенту включения/выключения полупроводниковых устройств.

По сравнению с чистотой одностенных стенок TF1000, составляющей всего 80 %, TF1010 удаляет многостенные углеродные трубки и частицы аморфного углерода посредством многоступенчатой ​​очистки, при этом доля различных фазовых примесей составляет менее 1,5 %. При использовании в тонкопленочных полевых транзисторах коэффициент включения/выключения устройства увеличивается более чем в 10 раз без каких-либо утечек или искажений сигнала, вызванных различными металлическими трубками, что позволяет адаптироваться к исследованиям и разработкам передовых интегральных схем на основе углерода, изготовленных по норме 7 нм и ниже.

Доступны три сорта металлической золы со сверхнизким содержанием золы, полностью решающие проблему миграции следовых ионов металлов.

Обеспечивает три характеристики зольности:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >Сверхдлинные нетронутые трубки толщиной 100 мкм, чрезвычайно низкое заполнение без блокировки светопропускания

Сверхвысокое соотношение сторон на уровне десяти тысяч, количество проводящих добавок всего 0,03%, дозировка наполнителя уменьшена еще на 30% по сравнению с TF1000 для того же проводящего эффекта. Диаметр трубки намного меньше длины волны видимого света, что позволяет создавать прозрачные проводящие пленки без дымки и с высоким коэффициентом пропускания, адаптируясь к массовому производству складных экранов и фотоэлектрических прозрачных электродов.

Ultra-high crystallinity G/D >50, крайне мало структурных дефектов стенки трубки, максимальная стабильность электрохимического цикла

Стенки графеновых трубок с низким уровнем дефектов уменьшают побочные реакции на границе электролита. При использовании в кремниево-углеродных анодах и твердотельных батареях они могут значительно подавлять постоянное утолщение SEI-пленки, при этом срок службы элемента увеличивается более чем на 35% по сравнению с базовыми одностенными батареями TF1000, что позволяет адаптировать их к высокопроизводительным аккумуляторам для легковых автомобилей с большим радиусом действия.

Может направленно разделять полупроводниковые одностенные углеродные трубки, подложку для гибких микросхем малой мощности.

Чистые одностенные сырьевые материалы высокой чистоты облегчают последующее разделение центрифугированием в градиенте плотности, производя большое количество полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок с высокой подвижностью носителей и чрезвычайно низким энергопотреблением устройства, что делает их основным сырьем для гибких маломощных логических схем нового поколения и микросенсорных чипов.

Сверхбольшая удельная поверхность 500–1000 м²/г, сверхвысокая чувствительность улавливания следовых молекул.

Массивные электрохимические активные центры с возможностью адсорбции и распознавания газов, биологических белков и следовых молекул тяжелых металлов, значительно превышающие TF1000, адаптируемые к медицинским диагностическим биосенсорам и зондам прецизионного обнаружения следов загрязнителей окружающей среды.

Система высокой чистоты, полностью соответствующая требованиям военной и аэрокосмической промышленности, легкая проводящая и теплопроводящая интегрированная структурная арматура

Невыпадающие в осадок составы с низким содержанием примесей соответствуют стандартам приемки аэрокосмических и военных электронных компонентов. Чрезвычайно низкое заполнение может обеспечить тройной эффект постоянной проводимости, электромагнитного экранирования и усиления конструкции, что значительно снижает собственный вес компонентов спутников и самолетов.

Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. Laboratory

Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd. Equipment

Применение продукта

1. Усовершенствованные полупроводники на основе углерода и тонкопленочные полевые транзисторы.

Интегральные схемы, изготовленные по техпроцессу 7 нм и ниже, гибкие логические микросхемы, микросхемы с низким энергопотреблением; сверхвысокая чистота однослойных стенок обеспечивает высокий коэффициент включения/выключения транзистора и низкую утечку, заменяя традиционные материалы на основе кремния для исследований и разработок в области микронаноэлектроники после эпохи Мура.

2. Легкие проводящие экранирующие композиционные материалы сверхвысокой чистоты для военной и аэрокосмической отрасли.

Легкие кожухи для электромагнитной защиты спутников, теплоотводы самолетов и проводящие интегрированные панели, электроды военных накопителей энергии; Низкое содержание металлических примесей соответствует стандартам долгосрочной стабильной эксплуатации военных компонентов на орбите.

3. Высококачественные кремниево-углеродные аноды, сульфидные твердотельные аккумуляторы.

Проводящие добавки, предназначенные для кремний-углеродных анодов для высококачественной бытовой электроники и аккумуляторов дальнего действия для легковых автомобилей; сверхнизкое содержание примесей подавляет саморазряд элемента, сверхдлинные углеродные трубки буферизуют расширение объема частиц кремния, значительно продлевая срок службы.

4. Гибкие прозрачные проводящие пленки с высоким коэффициентом пропускания, складные OLED-панели.

Замена дефицитного оксида индия и олова ITO, изготовление немутных проводящих пленок с высоким коэффициентом пропускания, адаптация к складным сенсорным экранам, переносным медицинским электродам ЭКГ и прозрачным токосъемникам для фотоэлектрических элементов с затуханием сопротивления ниже 3% после тысячи изгибов.

5. Сверхвысокоточные датчики биологических и экологических следов

Медицинские датчики обнаружения белка, обнаружение следов токсичных газов в атмосфере, зонды для мониторинга следов тяжелых металлов в воде; сверхбольшая удельная площадь поверхности позволяет распознавать следы молекул на уровне ppb, а чувствительность обнаружения превосходит базовую одностенную модель TF1000.

6. Университетские передовые исследовательские проекты в области наноматериалов сверхвысокой чистоты

Образцы высокой чистоты, предназначенные для высокоточных лабораторных исследований и разработок, таких как разделение киральности одностенных полупроводников, передовые механизмы чипов на основе углерода, механизмы длительного цикла твердотельных батарей и легкие композитные материалы для аэрокосмической отрасли.

кредиторы

product-1-1

Часто задаваемые вопросы

Вопрос 1: Каковы различия в выборе ядра между одностенными процессорами сверхвысокой чистоты TF1010 и базовыми одностенными процессорами TF1000, и как следует выбирать полупроводниковые чипы?

A: Чистота одностенных материалов TF1000 не превышает 80%, подходит для кремний-углеродных анодов, обычных гибких проводящих пленок и обычных лабораторных базовых исследований и разработок; Чистота одностенных аккумуляторов TF1010 превышает или равна 98,5 %, содержание металлической золы составляет всего 100 частей на миллион, а также крайне мало различных трубок и примесей аморфного углерода, особенно для полупроводниковых интегральных схем, военной и аэрокосмической промышленности, сверхточного биосенсорства, высокопроизводительных твердотельных батарей и других сценариев с нулевой терпимостью к примесям; для обеспечения высокой стабильности устройства, низкой утечки и длительных циклов необходимо выбрать TF1010.

Вопрос 2: К каким сценариям адаптируются три спецификации зольности TF1010 соответственно?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

Вопрос 3: Чистота одностенных транзисторов TF1010 98,5 %, насколько это улучшает коэффициент включения/выключения транзистора?

О: Поскольку TF1000 содержит большое количество различных многостенных ламп, коэффициент включения/выключения транзистора составляет всего 10³–10⁴; TF1010 содержит очень мало различных фазовых примесей, и после разделения коэффициент включения/выключения полупроводникового устройства с углеродными трубками может достигать более 10⁷, что соответствует требованиям к производительности передовых технологических чипов.

Вопрос 4: Когда TF1010 используется в твердотельных батареях, насколько можно уменьшить саморазряд элементов по сравнению с TF1000?

Ответ: Металлические каталитические примеси TF1010 значительно уменьшены, 30-дневное затухание емкости твердотельных элементов при комнатной температуре снижается на 40%, а срок службы увеличивается на 35%, что позволяет адаптироваться к пилотному массовому производству твердотельных батарей дальнего действия для автопроизводителей.

В5: Трудно ли диспергировать порошок TF1010 и можно ли его адаптировать к суспензиям, поддерживающим полупроводниковую литографию?

A: Модифицированный порошок TF1010 с высокой чистотой амино может быть настроен по индивидуальному заказу, адаптируясь к дисперсии органических растворителей с низким содержанием примесей, предназначенной для литографии, без каких-либо следов осадка металлов, загрязняющих пластины; Наша компания может предоставить технологические решения для дисперсии с низким сдвигом и высокой чистотой.

Вопрос 6: Может ли TF1010 выдавать специальные отчеты об испытаниях на примеси металлов высокой чистоты для экспортных военных и полупроводниковых проектов?

Ответ: Каждая партия поставляется с независимым листом анализа золы высокой чистоты ICP-OES, в котором точно указано остаточное содержание различных каталитических металлов. Полный комплект документов RoHS, REACH и MSDS соответствует требованиям третьих сторон для импорта и экспорта военных и полупроводниковых материалов.

Вопрос 7: Какого коэффициента пропускания можно достичь с помощью TF1010 при изготовлении прозрачных проводящих пленок? Есть ли проблемы с дымкой?

A: Коэффициент пропускания пленки больше или равен 90 %, мутность.<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

горячая этикетка : Порошок одностенных углеродных нанотрубок tf1010, Китай Порошок одностенных углеродных нанотрубок tf1010 производители, поставщики, завод, функционализированные углеродные нанотрубки COOH, Металлические нанотрубки, Нанотрубки в нанотехнологиях, одностенные и многостенсорные углеродные нанотрубки, одноклевые углеродные нанотрубки, SWCNT