Введение продукта
TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, а дефекты аморфного углерода в стенках труб чрезвычайно низкие. Основной дифференцированный показатель: эффективная чистота одностенных углеродных трубок превышает или равна 98,5%, что значительно выше, чем 80% чистота TF1000. Металлическая зола контролируется по градиенту с точностью до сотен частей на миллион, остаточные примеси катализатора значительно уменьшаются, что позволяет избежать утечек полупроводниковых устройств, реакций на стороне батареи и проблем с дрейфом сигнала датчиков.
Бесшовная трубчатая структура однослойного графена сочетает в себе баллистическую электронную проводимость, сверхвысокую эластичность и сверхбольшую удельную поверхность (500–1000 м²/г). Количество перколяционной добавки может составлять всего 0,03% для формирования полнодоменной проводящей сети, подходящей для тонкопленочных транзисторов с усовершенствованным процессом 7 нм и ниже, гибких логических схем, кремниево-углеродных анодов высокой чистоты, легких экранов для военной и аэрокосмической промышленности, сверхвысокочувствительного биозондирования следов и других высокоточных строгих сценариев.
Завод оснащен полным набором специального испытательного оборудования для материалов высокой чистоты, включая ПЭМ высокого разрешения, рамановскую спектроскопию, термогравиметрию ТГА и ИСП-ОЭС. Каждая партия выдается с полным набором специальных отчетов об испытаниях на содержание одностенных трубок, металлические примеси, диаметр и длину трубок. Научно-исследовательским институтам, полупроводниковым предприятиям и ведущим производителям твердотельных аккумуляторов предоставляются только граммовые образцы высокой чистоты и килограммовые опытные партии. Модифицированные порошки высокой чистоты с амино- и карбоксильными группами можно адаптировать к дисперсии вода/органический растворитель. Полный набор RoHS, REACH, специальных отчетов о примесях высокой чистоты ICP и паспортов безопасности MSDS соответствует строгим стандартам аудита допуска материалов для импорта и экспорта военной продукции и полупроводников.
Упаковка: вакуумные пакеты из алюминиевой фольги, композитные полиэтиленовые пакеты, тонные пакеты, по индивидуальному заказу.
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Технические параметры продукта
| Тестируемый предмет | Спецификация тестирования | Метод тестирования |
|---|---|---|
| Общее тестирование | ||
| Появление | Черный | Визуальный осмотр |
| Диаметр трубки | 1,5-1,7 нм | СЭМ, ПЭМ обнаружение |
| Длина трубки | >100 μm | - |
| Чистота одностенных углеродных нанотрубок | Больше или равно 98,5% | ТГА |
| Содержание пепла | Меньше или равно 2000/<500 / <100 ppm | Метод Эша |
| Удельная площадь поверхности | 500-1000 m²/g | Статический анализатор адсорбции азота |
| Соотношение Г/Д | >50 | Рамановский |

Введение компании
В 2022 году компания инвестировала 50 миллионов юаней в создание «Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd». в Хэцзэ, провинция Шаньдун, с площадью здания 4000 квадратных метров. Сейчас это национальное высокотехнологичное предприятие, имеющее более десяти независимых патентов.
В 2027 году планируется построить вторую очередь производственного и научно-исследовательского центра. Компания прошла международную сертификацию системы качества ISO9001 и сформировала передовой центр производства и технического обслуживания наноматериалов, охватывающий весь процесс эксплуатации, НИОКР, опытно-промышленного производства и производства. В настоящее время компания располагает комплексными производственными линиями для производства порошка углеродных нанотрубок, суспензии углеродных нанотрубок, маточной смеси углеродных нанотрубок, волокна углеродных нанотрубок и пленки углеродных нанотрубок.
У нас есть профессиональные испытания и сертификация. Для действительно наноразмерных углеродных нанотрубок компания Tanfeng Technology предоставляет данные о характеристиках для различных моделей, таких как изображения SEM, изображения AFM, изображения HRTEM, рамановская спектроскопия и порошковые рентгенограммы.
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Основные преимущества продукта
Чистота одностенных трубок Не менее 98,5 %, чрезвычайно низкий уровень примесей и различное содержание трубок, адаптация к требованиям к коэффициенту включения/выключения полупроводниковых устройств.
По сравнению с чистотой одностенных стенок TF1000, составляющей всего 80 %, TF1010 удаляет многостенные углеродные трубки и частицы аморфного углерода посредством многоступенчатой очистки, при этом доля различных фазовых примесей составляет менее 1,5 %. При использовании в тонкопленочных полевых транзисторах коэффициент включения/выключения устройства увеличивается более чем в 10 раз без каких-либо утечек или искажений сигнала, вызванных различными металлическими трубками, что позволяет адаптироваться к исследованиям и разработкам передовых интегральных схем на основе углерода, изготовленных по норме 7 нм и ниже.
Доступны три сорта металлической золы со сверхнизким содержанием золы, полностью решающие проблему миграции следовых ионов металлов.
Обеспечивает три характеристики зольности:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.
1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >Сверхдлинные нетронутые трубки толщиной 100 мкм, чрезвычайно низкое заполнение без блокировки светопропускания
Сверхвысокое соотношение сторон на уровне десяти тысяч, количество проводящих добавок всего 0,03%, дозировка наполнителя уменьшена еще на 30% по сравнению с TF1000 для того же проводящего эффекта. Диаметр трубки намного меньше длины волны видимого света, что позволяет создавать прозрачные проводящие пленки без дымки и с высоким коэффициентом пропускания, адаптируясь к массовому производству складных экранов и фотоэлектрических прозрачных электродов.
Ultra-high crystallinity G/D >50, крайне мало структурных дефектов стенки трубки, максимальная стабильность электрохимического цикла
Стенки графеновых трубок с низким уровнем дефектов уменьшают побочные реакции на границе электролита. При использовании в кремниево-углеродных анодах и твердотельных батареях они могут значительно подавлять постоянное утолщение SEI-пленки, при этом срок службы элемента увеличивается более чем на 35% по сравнению с базовыми одностенными батареями TF1000, что позволяет адаптировать их к высокопроизводительным аккумуляторам для легковых автомобилей с большим радиусом действия.
Может направленно разделять полупроводниковые одностенные углеродные трубки, подложку для гибких микросхем малой мощности.
Чистые одностенные сырьевые материалы высокой чистоты облегчают последующее разделение центрифугированием в градиенте плотности, производя большое количество полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок с высокой подвижностью носителей и чрезвычайно низким энергопотреблением устройства, что делает их основным сырьем для гибких маломощных логических схем нового поколения и микросенсорных чипов.
Сверхбольшая удельная поверхность 500–1000 м²/г, сверхвысокая чувствительность улавливания следовых молекул.
Массивные электрохимические активные центры с возможностью адсорбции и распознавания газов, биологических белков и следовых молекул тяжелых металлов, значительно превышающие TF1000, адаптируемые к медицинским диагностическим биосенсорам и зондам прецизионного обнаружения следов загрязнителей окружающей среды.
Система высокой чистоты, полностью соответствующая требованиям военной и аэрокосмической промышленности, легкая проводящая и теплопроводящая интегрированная структурная арматура
Невыпадающие в осадок составы с низким содержанием примесей соответствуют стандартам приемки аэрокосмических и военных электронных компонентов. Чрезвычайно низкое заполнение может обеспечить тройной эффект постоянной проводимости, электромагнитного экранирования и усиления конструкции, что значительно снижает собственный вес компонентов спутников и самолетов.


Применение продукта
1. Усовершенствованные полупроводники на основе углерода и тонкопленочные полевые транзисторы.
Интегральные схемы, изготовленные по техпроцессу 7 нм и ниже, гибкие логические микросхемы, микросхемы с низким энергопотреблением; сверхвысокая чистота однослойных стенок обеспечивает высокий коэффициент включения/выключения транзистора и низкую утечку, заменяя традиционные материалы на основе кремния для исследований и разработок в области микронаноэлектроники после эпохи Мура.
2. Легкие проводящие экранирующие композиционные материалы сверхвысокой чистоты для военной и аэрокосмической отрасли.
Легкие кожухи для электромагнитной защиты спутников, теплоотводы самолетов и проводящие интегрированные панели, электроды военных накопителей энергии; Низкое содержание металлических примесей соответствует стандартам долгосрочной стабильной эксплуатации военных компонентов на орбите.
3. Высококачественные кремниево-углеродные аноды, сульфидные твердотельные аккумуляторы.
Проводящие добавки, предназначенные для кремний-углеродных анодов для высококачественной бытовой электроники и аккумуляторов дальнего действия для легковых автомобилей; сверхнизкое содержание примесей подавляет саморазряд элемента, сверхдлинные углеродные трубки буферизуют расширение объема частиц кремния, значительно продлевая срок службы.
4. Гибкие прозрачные проводящие пленки с высоким коэффициентом пропускания, складные OLED-панели.
Замена дефицитного оксида индия и олова ITO, изготовление немутных проводящих пленок с высоким коэффициентом пропускания, адаптация к складным сенсорным экранам, переносным медицинским электродам ЭКГ и прозрачным токосъемникам для фотоэлектрических элементов с затуханием сопротивления ниже 3% после тысячи изгибов.
5. Сверхвысокоточные датчики биологических и экологических следов
Медицинские датчики обнаружения белка, обнаружение следов токсичных газов в атмосфере, зонды для мониторинга следов тяжелых металлов в воде; сверхбольшая удельная площадь поверхности позволяет распознавать следы молекул на уровне ppb, а чувствительность обнаружения превосходит базовую одностенную модель TF1000.
6. Университетские передовые исследовательские проекты в области наноматериалов сверхвысокой чистоты
Образцы высокой чистоты, предназначенные для высокоточных лабораторных исследований и разработок, таких как разделение киральности одностенных полупроводников, передовые механизмы чипов на основе углерода, механизмы длительного цикла твердотельных батарей и легкие композитные материалы для аэрокосмической отрасли.
кредиторы

Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Каковы различия в выборе ядра между одностенными процессорами сверхвысокой чистоты TF1010 и базовыми одностенными процессорами TF1000, и как следует выбирать полупроводниковые чипы?
A: Чистота одностенных материалов TF1000 не превышает 80%, подходит для кремний-углеродных анодов, обычных гибких проводящих пленок и обычных лабораторных базовых исследований и разработок; Чистота одностенных аккумуляторов TF1010 превышает или равна 98,5 %, содержание металлической золы составляет всего 100 частей на миллион, а также крайне мало различных трубок и примесей аморфного углерода, особенно для полупроводниковых интегральных схем, военной и аэрокосмической промышленности, сверхточного биосенсорства, высокопроизводительных твердотельных батарей и других сценариев с нулевой терпимостью к примесям; для обеспечения высокой стабильности устройства, низкой утечки и длительных циклов необходимо выбрать TF1010.
Вопрос 2: К каким сценариям адаптируются три спецификации зольности TF1010 соответственно?
A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.
Вопрос 3: Чистота одностенных транзисторов TF1010 98,5 %, насколько это улучшает коэффициент включения/выключения транзистора?
О: Поскольку TF1000 содержит большое количество различных многостенных ламп, коэффициент включения/выключения транзистора составляет всего 10³–10⁴; TF1010 содержит очень мало различных фазовых примесей, и после разделения коэффициент включения/выключения полупроводникового устройства с углеродными трубками может достигать более 10⁷, что соответствует требованиям к производительности передовых технологических чипов.
Вопрос 4: Когда TF1010 используется в твердотельных батареях, насколько можно уменьшить саморазряд элементов по сравнению с TF1000?
Ответ: Металлические каталитические примеси TF1010 значительно уменьшены, 30-дневное затухание емкости твердотельных элементов при комнатной температуре снижается на 40%, а срок службы увеличивается на 35%, что позволяет адаптироваться к пилотному массовому производству твердотельных батарей дальнего действия для автопроизводителей.
В5: Трудно ли диспергировать порошок TF1010 и можно ли его адаптировать к суспензиям, поддерживающим полупроводниковую литографию?
A: Модифицированный порошок TF1010 с высокой чистотой амино может быть настроен по индивидуальному заказу, адаптируясь к дисперсии органических растворителей с низким содержанием примесей, предназначенной для литографии, без каких-либо следов осадка металлов, загрязняющих пластины; Наша компания может предоставить технологические решения для дисперсии с низким сдвигом и высокой чистотой.
Вопрос 6: Может ли TF1010 выдавать специальные отчеты об испытаниях на примеси металлов высокой чистоты для экспортных военных и полупроводниковых проектов?
Ответ: Каждая партия поставляется с независимым листом анализа золы высокой чистоты ICP-OES, в котором точно указано остаточное содержание различных каталитических металлов. Полный комплект документов RoHS, REACH и MSDS соответствует требованиям третьих сторон для импорта и экспорта военных и полупроводниковых материалов.
Вопрос 7: Какого коэффициента пропускания можно достичь с помощью TF1010 при изготовлении прозрачных проводящих пленок? Есть ли проблемы с дымкой?
A: Коэффициент пропускания пленки больше или равен 90 %, мутность.<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.
горячая этикетка : Порошок одностенных углеродных нанотрубок tf1010, Китай Порошок одностенных углеродных нанотрубок tf1010 производители, поставщики, завод, функционализированные углеродные нанотрубки COOH, Металлические нанотрубки, Нанотрубки в нанотехнологиях, одностенные и многостенсорные углеродные нанотрубки, одноклевые углеродные нанотрубки, SWCNT













